一、术语解释

1、 插入损耗：信号源直接传送给负载阻抗的功率（P0）和插入滤波器后传送给负载阻抗的功率（P1）之比的对数值。通常用分贝（dB）为单位进行度量，表示为IL=10 lg （P0/ P1）。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

2、 通带波动：通带内衰耗的最大峰值与最小谷值之差。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

3、 通带宽度；指相对衰耗小于和等于某一规定值时的频率宽度（如1dB、2dB、3dB、6dB等）。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

4、 阻带衰耗：指整个阻带内的最小衰耗值。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

5、 阻带宽度：相对衰耗等于和大于某规定值时的频带宽度（如40dB、50dB、60dB、80dB等）。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

6、 匹配阻抗：滤波器技术条件中要求的端接匹配阻抗值。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

二、应用指南

石英晶体滤波器根据其结构不同分为集成式单片滤波器和分离式滤波器。
集成式滤波器结构简单、体积小、价格低，但其带宽和频率受到限制，分离式滤波器则可以弥补集成式滤波器的不足，使可实现的频率和带宽得以拓展。
数字通讯技术的发展，对晶体滤波器的群延时特性及互调失真指标提出要求，而分离式滤波器能够较容易解决。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

1、 阻抗匹配：性能优良的滤波器在与其端接的电路阻抗不匹配时，滤波特性会变差，引起通带波动增大，插损增加。当外电路阻抗低于滤波器特性阻抗时，中心频率将下移，反之上移。滤波器的测试或使用应符合以下原理图

"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成
Ri、R0：仪器内阻：一般为50Ω
R1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。
R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。
在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求，应按上图连接。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

2、 合理的测量电平；如同晶体对激励电平的要求一样，滤波器中其核心元件仍是晶体，因此激励电平在没有规定时，一般选0dB作为输入电平。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

3、 良好的屏蔽：对滤波器的输入端和输出端进行良好屏蔽，以使信号源的能量不能直接耦合到负载端。对甚高频以上滤波器，则应使滤波器与仪器间的连接尽量符合同轴线原理。滤波器在线路上时应尽可能采用大面积接地，并将输入、输出端隔离，保证滤波器的阻带衰耗。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

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